삼성전자가 26일(현지시각) 미국 실리콘밸리에서 인공지능(AI) 시대를 겨냥한 차세대 메모리 설루션을 공개했다.

삼성전자는 미국 캘리포니아 마운틴뷰에서 열린 글로벌 반도체 학회 ‘멤콘(MemCon) 2024′에서 ‘컴퓨트익스프레스링크’(CXL) 기술 기반 메모리와 고대역폭메모리(HBM)을 선보였다.

최진혁 삼성전자 미주 메모리연구소장(부사장)과 황상준 D램 개발실장(부사장)은 키노트 연설을 통해 “CXL 기반 메모리와 고성능, 고용량의 HBM 설루션이 AI 반도체 업계를 주도하고 있다”고 밝혔다.

CXL은 중앙처리장치(CPU)와 그래픽처리장치(GPU), 메모리 반도체를 연결해 데이터 처리 속도와 용량을 높이는 기술로, 메모리 자원의 효율적인 관리가 가능하고 시스템의 안전성을 높일 수 있다.

최 부사장은 “파트너들과의 협력을 통해 AI 시대 반도체 기술 발전을 이끌겠다”고 했다.

황 부사장은 키노트에서 삼성전자의 D램과HBM 설루션에 대해 설명했다. 그는 “현재 양산 중인 3세대(HBM2E), 4세대(HBM3) HBM에 이어, 12단 5세대 HBM과 32기가비트(Gb) 기반 128기가바이트(GB) DDR5 제품을 올해 상반기에 양산할 예정이다”고 밝혔다.

삼성전자는 6세대 HBM의 경우 적층된 메모리의 가장 아래층에 컨트롤 장치인 버퍼 다이(Buffer Die)를 적용할 예정이다.

HBM은 D램 여러 개를 수직으로 연결해 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고성능 메모리다.

삼성전자는 6세대 HBM의 경우 적층된 메모리의 가장 아래층에 컨트롤 장치인 버퍼 다이(Buffer Die)를 적용해 AI 시대 메모리 반도체 혁신을 이어갈 계획이다.