SK하이닉스가 대만 TSMC와 손잡고 차세대 고대역폭메모리(HBM)를 공동 개발하기로 했다. 차세대 HBM 반격을 노리는 삼성전자와 기술 경쟁이 더 치열해질 전망이다. 

SK하이닉스는 최근 최근 대만 타이페이에서 TSMC와 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했다. 또 2026년 양산 예정인 'HBM4(6세대 HBM)'를 TSMC와 협력해 개발할 것이라고 19일 밝혔다.

AI칩 성능이 점점 고도화되면서 전력 소모를 줄이고 데이터 병목현상을 줄이는 것이 최대 과제가 됐다. HBM의 한정된 공간 안에 D램을 더 높이, 촘촘하게 쌓는 것이 승리 관건이다. 이를 위해 SK하이닉스가 첨단 패키징 분야 1위인 TSMC와 아예 HBM 개발까지 함께 한다는 전략이다.

양사는 우선 HBM 패키지 내 최하단에 탑재되는 ‘베이스 다이(Base Die)’ 성능 개선에 나선다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(Core Die)를 쌓아 올린 뒤 실리콘관통전극(TSV) 기술로 수직 연결해 만든다. 베이스 다이는 이 과정에서 그래픽처리장치(GPU)와 연결해 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행한다.

SK하이닉스는 이를 통해 성능과 전력 효율 등 고객사 요구에 부합하는 맞춤형 HBM을 생산할 계획이다.

김주선 SK하이닉스 사장은 “고객사들과의 개방형 협업에도 속도를 낼 것이다”며 “고객맞춤형 메모리 플랫폼 경쟁력을 높여 토털 AI 메모리 프로바이더의 위상을 확고히 하겠다”고 말했다．